12/27/2022

الدرس 61: متعدد الاهتزازات ثنائي الاستقرار- الجزء الثاني Bistable à transistors

 

متعدد الاهتزازات ثنائي الاستقرار

Multivibrateur bistable à transistors


 

بسم الله الرحمان الرحيم

مرحبا بكم على مدونة زهرة

 

         تبعا للدرس السابق عن متعدد الاهتزازات ثنائي الاستقرار في جزئه الأول، سنعرض اليوم الجزء الثاني.

 

         في هذا الجزء الثاني سنقوم بحول الله بتصميم دائرة بسيطة مشابهة لدائرة متعدد الاهتزازات ثنائي الاستقرار التي قمنا بعرضها في الموضوع السابق. هاته الدائرة تتكون من ترانزستورين من نوع NPN ذوا المرجع 2N2222A. وهي دائرة بسيطة أيضا لكن أدائها سيكون أفضل من أداء الدائرة السابقة.

 

         هاته ليست قاعدة عامة، ولكن أغلب الدائرات التي يشتغل فيها الترانزستور BJT كمفتاح، يؤخذ المخرج من المجمع. حيث الجهد في المجمع هو الذي سيتحكم في أجزاء أخرى من الدائرة. لذا يجب دائما البحث عن الجهدين في المجمع والباعث، لكي تكون على علم عن التوتر الذي سيظهر بين الجزء C و E . لأن التوتر VCE  بين المجمع و الباعث(وبالرغم من أنه يكون منعدما بشكل تقريبي عند الإشباع) هو المسؤول على تشغيل أو إيقاف تشغيل أقسام أخرى من الدائرة.

 

           سأقوم في هذا الموضوع بتركيب جهاز تحكم (MOSFET) بين أحد المخرجين و الحمولة التي هي عبارة عن Led ليظهر حالة المخرج المعني. نفس MOSFET سأقوم بتركيبه كذلك بين المخرج الثاني و Led آخر.

 

           وتتجلى أهمية وضع جهاز التحكم الذي هو عبارة عن MOSFET لكون هذا الأخير لا يستهلك تيارا في بوابته لكي يشتغل، لأنه يحتاج فقط إلى التوتر. لن ندخل في هذا الموضوع عن كيفية اشتغال الترانزستور MOSFET، لكن الغرض من تركيبه هنا هو عدم امتصاصه لأي تيار من المجمع C. لأنه في حالة تركيب حمولة في أحد المخرجين وخصوصا إدا كانت تستهلك تيارا كبيرا،حينئذ يتطلب منك إعادة حساب الدائرة مع إدراج التيار  التي ستحتاجها الحمولة. وهذا فقط لتبسيط الشرح.

 

          لكن عمليا يجب دائما دراسة خصائص الحمولة قبل تركيبها مع أي مخرج دائرة كيفما كانت. هاته مواضيع سنقوم بدراستها في مواضيع متقدمة بمشيئة الله. لكن دعونا اليوم مع دراسة الترانزستور كمتاح.

 

فرجة مفيدة





ليست هناك تعليقات:

إرسال تعليق